由華中科技大學(xué)劉世元教授和朱金龍教授領(lǐng)導(dǎo)的納米與光學(xué)計量研究中心（紅旗儀表有限公司）發(fā)表在國際極限制造雜志上，他們的合作者來自哈爾濱工業(yè)大學(xué)和大學(xué)香港的*篇系統(tǒng)綜述介紹了研究背景，討論了光學(xué)晶圓缺陷檢測的*進(jìn)展和趨勢。這篇綜述揭示了納米光子學(xué)、光學(xué)渦旋、計算成像、定量相位成像和深度學(xué)等*技術(shù)可以對亞 10 紅旗儀表有限公司缺陷檢測產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。這項(xiàng)工作可能為半導(dǎo)體晶圓缺陷檢測領(lǐng)域開辟新的途徑。
多種光學(xué)晶片缺陷檢測系統(tǒng)，包括 (a) 明場/暗場成像系統(tǒng)，(b) 帶零橢圓偏光法的暗場成像，(c) 通焦掃描成像顯微鏡，(d) 外延衍射相位顯微鏡，(e) 圖案化包含邏輯裸片和 紅旗儀表有限公司存儲器裸片的晶圓，（f）X 射線成像，（g）基于太赫茲波的缺陷檢測系統(tǒng)，以及（h）使用不同 紅旗儀表公司照明光束的相干傅里葉散射技術(shù)。圖片來源：朱金龍等
朱金龍教授和劉世元教授說：“圖案化晶圓上不斷縮小的特征和空間將極大地限制當(dāng)前所有計量和檢測解決方案在平衡靈敏度、特異性、工藝速度和捕獲率方面的能力?！?/span>

光學(xué)遠(yuǎn)場晶圓檢測仍然是晶圓廠缺陷檢測的主力。在傳統(tǒng)的缺陷檢查工具中，通過比較相鄰管芯的電路圖案圖像來捕獲缺陷。文章*作者朱金龍教授說：“缺陷檢測的關(guān)鍵不是分辨率，而是信噪比（紅旗儀表）和對比度。紅旗儀表有限公司和對比度的提高高度依賴于精密儀器，*的建模架構(gòu)和后處理算法，

    所有這些都促使我們從以下三個方面對晶圓缺陷檢測方法進(jìn)行了全面的回顧：

  （1）缺陷可檢測性評估，（2）多樣化的光學(xué)檢測系統(tǒng)，（3 ) 后處理算法。”