FAI 微光發(fā)射顯微鏡EMMI

價(jià)格
電議

型號(hào)
FAI

品牌
FAI

所在地
北京市 海淀區(qū)

更新時(shí)間
2024-01-23 11:46:47

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    FAI 微光發(fā)射顯微鏡(EMMI)用于檢測(cè)半導(dǎo)體內(nèi)部缺陷引起的微光發(fā)射或微熱發(fā)射來準(zhǔn)確定位半導(dǎo)體器件的失效位置。
    FAI 微光發(fā)射顯微鏡(EMMI)
    FAI Photo Emmission Microscope

    FAI 微光發(fā)射顯微鏡用于檢測(cè)半導(dǎo)體內(nèi)部缺陷引起的微光發(fā)射或微熱發(fā)射來準(zhǔn)確定位半導(dǎo)體器件的失效位置。通過使用不同類型的探測(cè)器,或者配置雙激光掃描系統(tǒng)(SIFT),以及配合相應(yīng)的檢測(cè)軟件來實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體元器件或芯片電路的微光、微熱、光激勵(lì)誘導(dǎo)失效測(cè)試等各種分析手段。

    FAI的Crystal Vision微光發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)對(duì)所配置探測(cè)器的數(shù)量沒有限制,可選擇配置從一個(gè)到我們提供的所有型號(hào)的探測(cè)器和SIFT激光掃描頭。

    主要功能

    CCD探測(cè)器:波長(zhǎng)探測(cè)范圍 365nm 至 1190nm;帶電子半導(dǎo)體制冷器(TEC)的CCD探測(cè)器,可冷卻穩(wěn)定在 -40℃以下,無(wú)需使用危險(xiǎn)的液氮制冷劑;CCD解析度為1280x1024;像素暗電流<0.002 電子/秒;讀噪聲<7 個(gè)電子;連續(xù)收集信號(hào)時(shí)間從32毫秒至2小時(shí)。

    InGaAs探測(cè)器:波長(zhǎng)探測(cè)范圍 900nm – 1750nm;帶電子半導(dǎo)體制冷器(TEC)的InGaAs探測(cè)器,可冷卻穩(wěn)定在 -40℃以下,無(wú)需使用危險(xiǎn)的液氮制冷劑; InGaAs探測(cè)器分辨率為320x240,像素點(diǎn)尺寸為30 x 30um,更大的像素點(diǎn)面積可以收集更少的光子,探測(cè)靈敏度是普通640x480 InGaAs探測(cè)器的4倍;連續(xù)收集信號(hào)時(shí)間從1微秒到60分鐘;有效波段范圍內(nèi)量子效率(QE)為 80-85%;靈敏度 NEI <1x1010 ph/cm2/sec;量子效率>70 QE 在950-1700nm范圍內(nèi)。

    VisGaAs 探測(cè)器:波長(zhǎng)探測(cè)范圍 500nm – 1800nm,代表了新技術(shù)的VisGaAs 探測(cè)器覆蓋了可見光-紅外光波長(zhǎng)檢測(cè)范圍,一個(gè)探頭就可替代傳統(tǒng)的CCD和InGaAs 兩個(gè)探測(cè)器;半導(dǎo)體制冷器(TEC) ,可冷卻穩(wěn)定在 -40℃以下。

    SIFT(Stimulus Induced Fault Testing)雙波長(zhǎng)激光掃描頭:雙激光源654nm和1428nm;通過激光掃描芯片電路,導(dǎo)致失效位置電阻發(fā)生變化,通過檢測(cè)反饋信號(hào)的變化,從而檢測(cè)到失效位置;SIFT掃描不受物鏡視野限制,可以一次掃描完整整個(gè)檢測(cè)區(qū)域,無(wú)需圖像拼接,避免圖像扭曲;FAI的恒定電流附加反饋回路的技術(shù),不但提高了檢測(cè)靈敏度,而且避免了檢測(cè)時(shí)電壓過高的風(fēng)險(xiǎn);恒定焦距的定鏡掃描,可以將激光點(diǎn)停留在任意位置,用于確認(rèn)失效點(diǎn)。

    FMI熒光熱成像技術(shù):FAI的微熱分析技術(shù),熱分辨率是千分K(1/1000K),可以室溫操作,無(wú)需使用危險(xiǎn)的液晶溶液。

    LC液晶熱成像技術(shù):FAI的SLC(穩(wěn)定液晶)液晶熱成像技術(shù)的熱分辨率為百分K (1/100 K)。

    Moire云紋成像:從硅片背面采用“云紋圖像成像”的方式來檢測(cè)失效位置的微熱變化。

    以上信息由企業(yè)自行提供,信息內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé),儀器儀表交易網(wǎng)對(duì)此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
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